IGBT綜合特性測試儀

價格
電議

型號
HUSTEC-1600A-MT

品牌
華科智源

所在地
廣東省 深圳市

更新時間
2024-07-25 09:14:59

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    華科智源IGBT綜合特性測試儀，測試二極管 、IGBT，MOS管，SIC器件靜態(tài)參數(shù)，并生產(chǎn)器件傳輸曲線和轉(zhuǎn)移曲線，測試1600A，5000V以下的各種功率器件，廣泛應(yīng)用于器件設(shè)計，封裝測試，軌道交通，電動汽車 ，風力發(fā)電，變頻器，焊機等行業(yè)的IGBT來料選型和失效分析。

    HUSTEC華科智源

    HUSTEC-1600A-MT

    IGBT綜合特性測試儀


    一：IGBT綜合特性測試儀主要特點

    華科智源HUSTEC-1600A-MT靜態(tài)測試儀可用于多種封裝形式的 IGBT測試，還可以測量大功率二極管 、IGBT模塊，大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管MOS管等器件的 V-I 特性測試，測試600A（可擴展至2000A），5000V以下的各種功率器件，廣泛應(yīng)用于軌道交通，電動汽車 ，風力發(fā)電，變頻器，焊機行業(yè)的IGBT來料選型和失效分析，設(shè)備還可以用于變頻器，風電，軌道交通，電焊機等行業(yè)的在線檢修，無需從電路板上取下來進行單獨測試，可實現(xiàn)在線IGBT檢測，測試方便，測試過程簡單，既可以在測試主機里設(shè)置參數(shù)直接測試，又可以通過軟件控制主機編程后進行自動測試，通過電腦操作完成 IGBT 的靜態(tài)參數(shù)測試；


    IGBT綜合特性測試儀測試參數(shù)：

    ICES  集電極-發(fā)射極漏電流

    IGESF 正向柵極漏電流

    IGESR 反向柵極漏電流

    BVCES 集電極-發(fā)射極擊穿電壓

    VGETH 柵極-發(fā)射極閾值電壓

    VCESAT 集電極-發(fā)射極飽和電壓

    ICON 通態(tài)電極電流

    VGEON 通態(tài)柵極電壓

    VF 二極管正向?qū)▔航?/strong>

    整個測試過程自動完成，電腦軟件攜帶數(shù)據(jù)庫管理查詢功能，可生成測試曲線，方便操作使用。


    二：華科智源IGBT綜合特性測試儀應(yīng)用范圍

    A：IGBT單管及模塊，

    B：大功率場效應(yīng)管（Mosfet）

    C：大功率二極管

    D：標準低阻值電阻

    E：軌道交通，風力發(fā)電，新能源汽車，變頻器，焊機等行業(yè)篩選以及在線故障檢測


    三、華科智源IGBT綜合特性測試儀特征：

    A：測量多種IGBT、MOS管

    B：脈沖電流1200A，電壓5KV，測試范圍廣；

    C：脈沖寬度 50uS~300uS

    D：Vce測量精度2mV

    E：Vce測量范圍>10V

    F：電腦圖形顯示界面

    G：智能保護被測量器件

    H：上位機攜帶數(shù)據(jù)庫功能

    I：MOS IGBT內(nèi)部二極管壓降

    J : 一次測試IGBT全部靜態(tài)參數(shù)

    K: 生成測試曲線（IV曲線直觀看到IGBT特性，可以做失效分析以及故障定位）

    L:可以進行不同曲線的對比，觀測同一批次產(chǎn)品的曲線狀態(tài)，或者不同廠家同一規(guī)格參數(shù)的曲線對比；


    序號

    測試項目

    描述

    測量范圍

    分辨率

    精度

    1

    VF

    二極管正向?qū)▔航?

    0~20V

    1mV

    ±1%,±1mV

    2

    IF

    二極管正向?qū)娏?

    0~1200A

    ≤200A時,0.1A

    ≤200A時,±1%±0.1A

    3

    ＞200A時,1A

    ＞200A時,±1%

    4

    Vces

    集電極-發(fā)射極電壓

    0~5000V

    1V

    ±1%,±1V

    5

    Ic

    通態(tài)集電極電流

    0~1200A

    ≤200A時,0.1A

    ≤200A時,±1%±0.1A

    6

    ＞200A時,1A

    ＞200A時,±1%

    7

    Ices

    集電極-發(fā)射極漏電流

    0~50mA

    1nA

    ±1%,±10μA

    8

    Vgeth

    柵極-發(fā)射極閾值電壓

    0~20V

    1mV

    ±1%,±1mV

    9

    Vcesat

    集電極-發(fā)射極飽和電壓

    0~20V

    1mV

    ±1%,±1mV

    10

    Igesf

    正向柵極漏電流

    0~10uA

    1nA

    ±2%,±1nA

    11

    Igesr

    反向柵極漏電流

    12

    Vges

    柵極發(fā)射極電壓

    0~40V

    1mV

    ±1%,±1mV








    測試參數(shù)：

    ICES  集電極-發(fā)射極漏電流

    IGESF 正向柵極漏電流

    IGESR 反向柵極漏電流

    BVCES 集電極-發(fā)射極擊穿電壓

    VGETH 柵極-發(fā)射極閾值電壓

    VCESAT 集電極-發(fā)射極飽和電壓

    ICON 通態(tài)電極電流

    VGEON 通態(tài)柵極電壓

    VF 二極管正向?qū)▔航?

    IGBT靜態(tài)參數(shù)測試儀整個測試過程自動完成，電腦軟件攜帶數(shù)據(jù)庫管理查詢功能，可生成測試曲線，方便操作使用


    1) 物理規(guī)格

    設(shè)備尺寸：500（寬）x 450（深）x 250（高）mm；

    質(zhì)量：30kg

    2) 環(huán)境要求

    海拔高度：海拔不過 1000m；

    儲存環(huán)境：-20℃～50℃；

    工作環(huán)境：15℃～40℃。

    相對濕度：20%RH ~ 85%RH ；

    大氣壓力：86Kpa～ 106Kpa。

    防護：無較大灰塵，腐蝕或爆炸性氣體，導(dǎo)電粉塵等空氣污染的損害；

    3) 水電氣 用電要求：AC220V，±10%；

    電網(wǎng)頻率：50Hz±1Hz


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