功率半導(dǎo)體參數(shù)測試儀

價格
電議

型號
HUSTEC-1600A-MT

品牌
華科智源

所在地
廣東省 深圳市

更新時間
2024-07-24 10:20:08

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    華科智源功率半導(dǎo)體參數(shù)測試儀,測試二極管 、IGBT,MOS管,SIC器件靜態(tài)參數(shù),并生產(chǎn)器件傳輸曲線和轉(zhuǎn)移曲線,測試1600A,5000V以下的各種功率器件,廣泛應(yīng)用于器件設(shè)計,封裝測試,軌道交通,電動汽車 ,風(fēng)力發(fā)電,變頻器,焊機等行業(yè)的IGBT來料選型和失效分析。

    HUSTEC華科智源

    HUSTEC-1600A-MT

    功率半導(dǎo)體參數(shù)測試儀

     

    一:功率半導(dǎo)體參數(shù)測試儀主要特點

    華科智源HUSTEC-1600A-MT靜態(tài)測試儀可用于多種封裝形式的 IGBT測試,還可以測量大功率二極管 、IGBT模塊,大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管MOS管等器件的 V-I 特性測試,測試600A(可擴展至2000A),5000V以下的各種功率器件,廣泛應(yīng)用于軌道交通,電動汽車 ,風(fēng)力發(fā)電,變頻器,焊機行業(yè)的IGBT來料選型和失效分析,設(shè)備還可以用于變頻器,風(fēng)電,軌道交通,電焊機等行業(yè)的在線檢修,無需從電路板上取下來進行單獨測試,可實現(xiàn)在線IGBT檢測,測試方便,測試過程簡單,既可以在測試主機里設(shè)置參數(shù)直接測試,又可以通過軟件控制主機編程后進行自動測試,通過電腦操作完成 IGBT 的靜態(tài)參數(shù)測試;

     

    功率半導(dǎo)體參數(shù)測試儀測試參數(shù):

    ICES  集電極-發(fā)射極漏電流

    IGESF 正向柵極漏電流

    IGESR 反向柵極漏電流

    BVCES 集電極-發(fā)射極擊穿電壓

    VGETH 柵極-發(fā)射極閾值電壓

    VCESAT 集電極-發(fā)射極飽和電壓

    ICON 通態(tài)電極電流

    VGEON 通態(tài)柵極電壓

    VF 二極管正向?qū)▔航?

    整個測試過程自動完成,電腦軟件攜帶數(shù)據(jù)庫管理查詢功能,可生成測試曲線,方便操作使用。

     

    二:華科智源功率半導(dǎo)體參數(shù)測試儀應(yīng)用范圍

    A:IGBT單管及模塊,

    B:大功率場效應(yīng)管(Mosfet)

    C:大功率二極管

    D:標(biāo)準(zhǔn)低阻值電阻

    E:軌道交通,風(fēng)力發(fā)電,新能源汽車,變頻器,焊機等行業(yè)篩選以及在線故障檢測

     

    三、華科智源功率半導(dǎo)體參數(shù)測試儀特征:

    A:測量多種IGBT、MOS管

    B:脈沖電流1200A,電壓5KV,測試范圍廣;

    C:脈沖寬度 50uS~300uS

    D:Vce測量精度2mV

    E:Vce測量范圍>10V    

    F:電腦圖形顯示界面

    G:智能保護被測量器件

    H:上位機攜帶數(shù)據(jù)庫功能

    I:MOS IGBT內(nèi)部二極管壓降

    J : 一次測試IGBT全部靜態(tài)參數(shù)

    K: 生成測試曲線(IV曲線直觀看到IGBT特性,可以做失效分析以及故障定位)

    L:可以進行不同曲線的對比,觀測同一批次產(chǎn)品的曲線狀態(tài),或者不同廠家同一規(guī)格參數(shù)的曲線對比;

     

    序號

    測試項目

    描述

    測量范圍

    分辨率

    精度

    1

    VF

    二極管正向?qū)▔航?

    0~20V

    1mV

    ±1%,±1mV

    2

    IF

    二極管正向?qū)娏?

    0~1200A

    ≤200A時,0.1A

    ≤200A時,±1%±0.1A

    3

    >200A時,1A

    >200A時,±1%

    4

    Vces

    集電極-發(fā)射極電壓

    0~5000V

    1V

    ±1%,±1V

    5

    Ic

    通態(tài)集電極電流

    0~1200A

    ≤200A時,0.1A

    ≤200A時,±1%±0.1A

    6

    >200A時,1A

    >200A時,±1%

    7

    Ices

    集電極-發(fā)射極漏電流

    0~50mA

    1nA

    ±1%,±10μA

    8

    Vgeth

    柵極-發(fā)射極閾值電壓

    0~20V

    1mV

    ±1%,±1mV

    9

    Vcesat

    集電極-發(fā)射極飽和電壓

    0~20V

    1mV

    ±1%,±1mV

    10

    Igesf

    正向柵極漏電流

    0~10uA

    1nA

    ±2%,±1nA

    11

    Igesr

    反向柵極漏電流

    12

    Vges

    柵極發(fā)射極電壓

    0~40V

    1mV

    ±1%,±1mV

     

     


     


     


     


     

     

    測試參數(shù):

    ICES  集電極-發(fā)射極漏電流

    IGESF 正向柵極漏電流

    IGESR 反向柵極漏電流

    BVCES 集電極-發(fā)射極擊穿電壓

    VGETH 柵極-發(fā)射極閾值電壓

    VCESAT 集電極-發(fā)射極飽和電壓

    ICON 通態(tài)電極電流

    VGEON 通態(tài)柵極電壓

    VF 二極管正向?qū)▔航?

    IGBT靜態(tài)參數(shù)測試儀整個測試過程自動完成,電腦軟件攜帶數(shù)據(jù)庫管理查詢功能,可生成測試曲線,方便操作使用

     

    1) 物理規(guī)格

    設(shè)備尺寸:500(寬)x 450(深)x 250(高)mm;

    質(zhì)量:30kg

    2) 環(huán)境要求

    海拔高度:海拔不過 1000m;

    儲存環(huán)境:-20℃~50℃;

    工作環(huán)境:15℃~40℃。

    相對濕度:20%RH ~ 85%RH ;

    大氣壓力:86Kpa~ 106Kpa。

    防護:無較大灰塵,腐蝕或爆炸性氣體,導(dǎo)電粉塵等空氣污染的損害;

    3) 水電氣 用電要求:AC220V,±10%;

    電網(wǎng)頻率:50Hz±1Hz

    以上信息由企業(yè)自行提供,信息內(nèi)容的真實性、準(zhǔn)確性和合法性由相關(guān)企業(yè)負(fù)責(zé),儀器儀表交易網(wǎng)對此不承擔(dān)任何保證責(zé)任。
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