價格
電議
型號
長禾功率半導體檢測實驗室
品牌
長禾半導體
所在地
陜西省 西安市
更新時間
2025-03-31 14:08:39
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京公網(wǎng)安備 11010802023672號
西安長禾半導體技術有限公司功率器件測試實驗室(簡稱長禾實驗室)位于西安市高新技術經濟開發(fā)區(qū)，是一家*從事功率半導體器件測試服務的高新技術企業(yè)，是*CNAS 認可實驗室，屬于*大功率器件測試服務中心。
長禾實驗室擁有*的系統(tǒng)設備、*的技術團隊和完善的服務體系。實驗室現(xiàn)有的測試儀器設備100余臺套，*測試人員20余名。我們緊跟國際國內標準，以客戶需求為導向，不斷創(chuàng)新服務項目和檢測技術，借助便利的服務網(wǎng)絡，為合作伙伴提供高效的技術服務。
長禾實驗室專注于功率半導體器件的動、靜態(tài)參數(shù)檢測、可靠性檢測、失效分析、溫循試驗、熱阻測試等領域的技術服務。業(yè)務范圍主要涉及國內軌道交通、風力發(fā)電、科研單位、軍工所、工業(yè)控制、兵器船舶、航空航天、新能源汽車等行業(yè)。也是第三代半導體（寬禁帶半導體）應用解決方案服務商。
長禾實驗室秉承創(chuàng)新務實的經營理念，為客戶提供的服務、完善的解決方案及全方位的技術支持；同時注重與行業(yè)企業(yè)、高校和科研所的合作與交流，測試技術與服務水平不斷提升。
誠信立世，感恩回饋，歡迎選擇長禾實驗室做您忠誠的合作伙伴，共謀發(fā)展大計！
電參數(shù)測試
分立器件靜態(tài)參數(shù)測試（DC）
執(zhí)行標準：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、
GB/T 29332-2012、GJB128B-2021
試驗對象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件；
檢測能力：檢測*電壓：2000V 檢測*電流：200A；
試驗參數(shù)：
漏電參數(shù)：IR、ICBO、ICEO、IDSS、IDOFF、IDRM、 IRRM、ICES、IGESF、IGESR、IEBO、IGSSF、 IGSSR；
擊穿參數(shù)：BVCEO、BVCES、BVDSS、BVCBO、VDRM、 VRRM、BVR、BVZ、BVEBO、BVGSS；
導通參數(shù)：VCESAT、VBESAT、VBEON、VF、VGSTH、VGETH、VTM；
關斷參數(shù)：VGSOFF
觸發(fā)參數(shù)：IGT、VGT
保持參數(shù)：IH、IH+、IH-
鎖定參數(shù)：IL、IL+、IL-
混合參數(shù)：RDSON、GFS
I-V曲線掃描
ID vs.VDS at range of VGS
ID vs.VGS at fixed VDS
IS vs.VSD
RDS vs.VGS at fixed ID
RDS vs.ID at several VGS
IDSS vs.VDS
HFE vs.IC
BVCE（O,S,R,V） vs.IC
BVEBO vs.IE
BVCBO vs.IC
VCE（SAT） vs.IC
VBE（SAT） vs.IC
VBE（ON） vs.IC （use VBE test）
VCE（SAT） vs.IB at a range of ICVF vs. IF
功率模塊靜態(tài)參數(shù)測試（DC）
執(zhí)行標準：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、
GB/T 29332-2012；
試驗對象：DIODE、IGBT、MOSFET、SCR、整流橋等功率；
試驗能力：檢測*電壓：7000V，檢測*電流：5000A
試驗參數(shù)：
漏電參數(shù)：IR、ICBO、ICEO、IDSS、IDOFF、IDRM、 IRRM、ICES、IGESF、IGESR、IEBO、IGSSF、 IGSSR；
擊穿參數(shù)：BVCEO、BVCES、BVDSS、BVCBO、VDRM、 VRRM、BVR、BVZ、BVEBO、BVGSS；
導通參數(shù)：VCESAT、VBESAT、VBEON、VF、VGSTH、VGETH、VTM；
關斷參數(shù)：VGSOFF
觸發(fā)參數(shù)：IGT、VGT
保持參數(shù)：IH、IH+、IH-
鎖定參數(shù)：IL、IL+、IL-
混合參數(shù)：RDSON、GFS
開關特性測試（Switch）
執(zhí)行標準：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、
GB/T 29332-2012；
試驗對象：MOSFET、IGBT、及SiC器件等分立器件及模塊；
試驗能力：檢測*電壓：4500V 檢測*電流：5000A
試驗參數(shù)：開通/關斷時間ton/toff、上升/下降時間tr/tf、開通/關斷延遲時間td(on)/td(off)、開通/關斷損耗Eon/Eoff、電流尖峰Ic-peak max、電壓尖峰Vce-peak max、電壓變化率dv/dt、電流變化率di/dt；
反向恢復測試（Qrr）
執(zhí)行標準：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、
GB/T 29332-2012；
試驗對象：DIODE、MOSFET、IGBT、及SiC器件等分立器件及模塊；
試驗能力：檢測*電壓：4500V 檢測*電流：5000A
試驗參數(shù)：反向恢復電荷Qrr、反向恢復電流Irm、反向恢復時間Trr、反向恢復電流變化率diF/dt、反向恢復損耗Erec；
柵極電荷（Qg）
執(zhí)行標準：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、
GB/T 29332-2012；
試驗對象：MOSFET、IGBT、及SiC器件等分立器件及模塊；；
試驗能力：檢測*電壓：4500V 檢測*電流：5000A
試驗參數(shù)：柵極電荷Qg、漏極電荷Qgs、源極電荷Qgd；
短路耐量（SCSOA）
執(zhí)行標準：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、
GB/T 29332-2012；
試驗對象：DIODE、MOSFET、IGBT、及SiC器件等分立器件及IGBT模塊器件；
試驗能力：檢測*電壓：4500V 檢測*電流：10000A
試驗參數(shù)：短路電流Isc、短路時間Tsc、短路能量Esc；
結電容（Cg）
執(zhí)行標準：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、
GB/T 29332-2012；
試驗對象：MOSFET、IGBT、及SiC器件等分立器件及模塊；
試驗能力：頻率：0.1-1MHz、檢測*電壓：1500V；
試驗參數(shù)：輸入電容Ciss、輸出電容Coss、反向傳輸電容Cres；
C-V曲線掃描
輸入電容Ciss-V；
輸出電容Coss-V；
反向傳輸電容Cres-V；
柵極電阻（Rg）
執(zhí)行標準：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、
GB/T 29332-2012；
試驗對象：DIODE、MOSFET、IGBT、及SiC器件等分立器件及IGBT模塊器件；
試驗能力：檢測*電壓：1500V；
試驗參數(shù)：柵極等效電阻Rg
極限能力測試
正向浪涌電流測試
執(zhí)行標準：MIL-STD-750，IEC60747，客戶自定義；
試驗對象：DIODE（Si/SiC）、整流橋、SCR、IGBT；
試驗能力：檢測*電流：10000A，10ms/8.3ms正弦半波，100us/1ms/10ms方波。
試驗參數(shù)：浪涌電流IFSM/ITSM、i2t
雷擊浪涌
非標
雪崩耐量測試（UIS）
執(zhí)行標準：MIL-STD-750，IEC60747，客戶自定義；
試驗對象：MOSFET、IGBT、DIODE，第三代半導體器件等單管器件；
試驗能力：檢測*電壓：4500V，檢測*電流：200A
試驗參數(shù)：雪崩能量EAS
介電性測試
執(zhí)行標準：GB/T 42125.10-2022、IEC 60243、GB 4793.1-2007；
試驗對象：Si、SiC·MOSFET；
試驗能力：檢測*電壓：4500V，檢測*電流：200A
功率老煉
高溫反偏試驗（HTRB）
執(zhí)行標準：GJB128、MIL-STD-750、JESD22-A108、EIAJED-4701100、AEC-Q101, 。
試驗對象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件及IGBT模塊；
試驗能力：溫度*150℃；電壓*5000V；
高溫柵偏試驗（HTGB）
執(zhí)行標準：GJB128、MIL-STD-750、JESD22-A108、
EIAJ ED-4701100 、AEC-Q101、 。
試驗對象：MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件及IGBT模塊；
試驗能力：溫度*150℃；電壓*100V；
高溫高濕反偏試驗（H3TRB）
執(zhí)行標準：GJB128、MIL-STD-750、JESD22-A108、
EIAJ ED-4701100 、AEC-Q101、 。
試驗對象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件及IGBT模塊；
試驗能力：溫度85℃，濕度范圍：25%~95%，電壓*4500V；
功率老煉測試
試驗對象：IGBT、TVS、壓敏電阻VDR；
試驗能力：檢測*電壓：4500V，檢測*電流：200A
間歇壽命試驗（IOL）
執(zhí)行標準：GJB128、MIL-STD-750、 ；
試驗對象：DIODE、BJT、MOSFET、IGBT及SiC器件等分立器件；
檢測能力：ΔTj≧100℃ 電壓*60V，電流*50A。
功率循環(huán)試驗（PC）
執(zhí)行標準：GJB128、MIL-STD-750、 ；
試驗對象：IGBT模塊；
檢測能力：ΔTj=100℃，電壓*30V，電流*1800A；
熱阻測試（Riath）
執(zhí)行標準：JESD51-1、JESD51-14、JESD24-3、JESD24-4、JESD24-6；
試驗對象：各類二極管；
試驗能力：瞬態(tài)熱阻、穩(wěn)態(tài)熱阻
失效分析
X-ray
◆ 人機工程學設計
◆ 編程CNC檢測及選配旋轉工裝
◆ 可實時追蹤、目標點定位
◆ 高分辨率FPD獲高質量圖像
◆ 配置大載物臺及桌面檢測區(qū)域
◆ X射線源：
*輸出功率：8W
光管類型：封閉式
管電壓：90kV
焦點尺寸：5μm
環(huán)境老煉
高溫存儲試驗（HTSL）
執(zhí)行標準：MIL-STD-750，GB/T 2423.2-2008、GJB548、 ；
試驗對象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件、IGBT模塊及其他電子產品；
試驗能力：溫度*220℃；
低溫存儲試驗（LTSL）
執(zhí)行標準：GJB548、GJB128、MIL-STD-750、JESD22-A108、EIAJ ED-4701100 、AEC-Q101、 ；
試驗對象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件、IGBT模塊及其他電子產品；
試驗能力：溫度*低-70℃。
高低溫循環(huán)試驗（TC）
執(zhí)行標準：GJB548、GJB128、MIL-STD-750、JESD22-A108、EIAJ ED-4701100 、AEC-Q101、 ；
試驗對象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件、IGBT模塊及其他電子產品；
試驗能力：溫度范圍：-40℃~175℃。
溫度沖擊試驗
執(zhí)行標準：GJB548、GJB 150-86、GB 2423、MIL-STD-810H、IEC60068-2-14；
試驗對象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件、IGBT模塊及其他電子產品；
試驗能力：溫度范圍：-70℃~220℃。
高溫蒸煮試驗（PCT）
執(zhí)行標準：GB/T 4937.4-2012?、JESD22-A110D-2010?
IPC/JEDECJ-STD-020D.1-2008?；
試驗對象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件、IGBT模塊及其他電子產品；
試驗能力：?溫度范圍?：105℃到142.9℃之間；濕度范圍?： 75%到*RH。
壓力范圍?：0.02MPa到0.186MPa。
可焊性試驗
執(zhí)行標準：MIL-STD-202G、MIL-STD-883G、GB2423、IEC60068；
試驗對象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件、IGBT模塊及其他電子產品；
振動試驗
執(zhí)行標準：GJB 150.25-86、GB-T 4857.23-2003、GBT4857.10-2005；
試驗對象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件、IGBT模塊及其他電子產品；
試驗方法：模擬產品在運輸、安裝及使用環(huán)境下所遭遇到的各種振動環(huán)境影響，主要用于評定元器件、零部件及整機在預期的運輸及使用環(huán)境中的抵抗能力，以了解產品的耐振壽命和性能指標的穩(wěn)定性。
鹽霧試驗
執(zhí)行標準：GB/T2423.17—2008、GB/T2423.18—2000、GB5938—86；
試驗對象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件、IGBT模塊及其他電子產品；
試驗方法：通過人工模擬鹽霧環(huán)境條件來考核產品或金屬材料耐腐蝕性能的環(huán)境試驗。一般用于對材料(表面鍍層)或表面處理工藝進行評價、篩選、對比，確定產品中潛在問題的區(qū)域和部位,發(fā)現(xiàn)質量控制的不足,尋找設計缺陷等。