一、概述
采用了的微處理器和的EchoDiscovery回波處理技術(shù),導(dǎo)波雷達(dá)物位計(jì)可以應(yīng)用于各種復(fù)雜工況。 多種過程連接方式及探測組件的型式,適于各種復(fù)雜工況及應(yīng)用場合。如:高溫、高壓及小介電常數(shù)介質(zhì)等。
采用脈沖工作方式,導(dǎo)波雷達(dá)物位計(jì)發(fā)射功率極低,可安裝于各種金屬、非金屬容器內(nèi),對人體及環(huán)境均無傷害。
二、測量原理
導(dǎo)波雷達(dá)發(fā)出的高頻微波脈沖沿著探測組件(鋼纜或鋼棒)傳播,遇到被測介質(zhì),由于介電常數(shù)突變,引起反射,一部分脈沖能量被反射回來。發(fā)射脈沖與反射脈沖的時(shí)間間隔與被測介質(zhì)的距離成正比。
容器中存在兩種不同介質(zhì),當(dāng)上面一層的介質(zhì)介電常數(shù)較小,而下面的介質(zhì)介電常數(shù)較大時(shí),高頻微脈沖沿著探測組件傳播遇到上層介質(zhì)時(shí),由于其介電常數(shù)較小,因而有極少的能量被這一層介面反射,而大部分能量穿透上層介質(zhì)繼續(xù)向下傳播,遇到兩層的介面時(shí),由于下層介質(zhì)的介電常數(shù)較大,因而會(huì)有較大的能量被反射回來。因而導(dǎo)波雷達(dá)是可以測量兩種不同介質(zhì)的介面,其測量條件是上層介質(zhì)不導(dǎo)電或其介電常數(shù)比下層介質(zhì)介電常數(shù)小10以上。
三、技術(shù)參數(shù)
l 大量程: 30m
l 測量精度: ±10mm
l 天線結(jié)構(gòu): 不銹鋼316L喇叭/PTFE振子
l 過程連接: 法蘭、螺紋
l 過程溫度: -40~150 °C
l 過程壓力: -0.1-4MPa(法蘭)
l 防護(hù)等級:IP67
l 防爆等級:ExiaIIC T6
l 信號輸出: (4~20)mA/HART(兩線/四線)
l 供電電源: 兩線制(DC24V)
l 四線制(DC24V/AC220V)
l 應(yīng) 用:液體,特別適合介電常數(shù)較小的液體
l 適用于高溫高壓復(fù)雜過程條件
四、儀表選型
WPRD501 |
WPRD501導(dǎo)波雷達(dá)物位計(jì) |
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P |
標(biāo)準(zhǔn)型(非防爆) |
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I |
本安防爆型(ExiaII CT6) |
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天線形式/材料/過程溫度 |
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A |
纜式/不銹鋼316L/ PTFE |
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B |
桿式/不銹鋼316L/PTFE |
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B2 |
雙桿式/不銹鋼316L/PTFE |
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X |
特殊定制 |
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過程連接 |
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G |
螺紋 G1?A |
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N |
螺紋 1?NPT |
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FA |
法蘭DN50 |
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輸出信號 |
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2 |
(4~20)mA/HART兩線制 |
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4 |
(4~20)mA/HART兩線/四線制 |
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外殼/防護(hù)等級 |
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A |
鋁/IP68 |
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B |
塑料/IP66 |
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C |
不銹鋼316L/IP67 |
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電纜進(jìn)線 |
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M |
M20*1.5 |
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N |
1/2NPT |
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現(xiàn)場顯示/編程 |
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V |
帶 |
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X |
不帶 |
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WPRD501 |
P |
B |
G |
2 |
A |
M |
X |
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