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FAI 微光發(fā)射顯微鏡EMMI

價格

電議

型號

FAI

品牌

FAI

所在地

北京市海淀區(qū)

更新時間

2024-01-23 11:46:47

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產(chǎn)品簡介

FAI 微光發(fā)射顯微鏡（EMMI）用于檢測半導體內(nèi)部缺陷引起的微光發(fā)射或微熱發(fā)射來準確定位半導體器件的失效位置。

產(chǎn)品描述

FAI 微光發(fā)射顯微鏡（EMMI）
FAI Photo Emmission Microscope

FAI 微光發(fā)射顯微鏡用于檢測半導體內(nèi)部缺陷引起的微光發(fā)射或微熱發(fā)射來準確定位半導體器件的失效位置。通過使用不同類型的探測器，或者配置雙激光掃描系統(tǒng)（SIFT），以及配合相應的檢測軟件來實現(xiàn)對半導體元器件或芯片電路的微光、微熱、光激勵誘導失效測試等各種分析手段。

FAI的Crystal Vision微光發(fā)射顯微鏡系統(tǒng)對所配置探測器的數(shù)量沒有限制，可選擇配置從一個到我們提供的所有型號的探測器和SIFT激光掃描頭。

主要功能

CCD探測器：波長探測范圍 365nm 至 1190nm；帶電子半導體制冷器（TEC）的CCD探測器，可冷卻穩(wěn)定在 -40℃以下，無需使用危險的液氮制冷劑；CCD解析度為1280x1024；像素暗電流<0.002 電子/秒；讀噪聲<7 個電子；連續(xù)收集信號時間從32毫秒至2小時。

InGaAs探測器：波長探測范圍 900nm – 1750nm；帶電子半導體制冷器（TEC）的InGaAs探測器，可冷卻穩(wěn)定在 -40℃以下，無需使用危險的液氮制冷劑； InGaAs探測器分辨率為320x240，像素點尺寸為30 x 30um，更大的像素點面積可以收集更少的光子，探測靈敏度是普通640x480 InGaAs探測器的4倍；連續(xù)收集信號時間從1微秒到60分鐘；有效波段范圍內(nèi)量子效率（QE）為 80-85%；靈敏度 NEI <1x1010 ph/cm2/sec；量子效率>70 QE 在950-1700nm范圍內(nèi)。

VisGaAs 探測器：波長探測范圍 500nm – 1800nm，代表了新技術的VisGaAs 探測器覆蓋了可見光-紅外光波長檢測范圍，一個探頭就可替代傳統(tǒng)的CCD和InGaAs 兩個探測器；半導體制冷器（TEC），可冷卻穩(wěn)定在 -40℃以下。

SIFT(Stimulus Induced Fault Testing)雙波長激光掃描頭：雙激光源654nm和1428nm；通過激光掃描芯片電路，導致失效位置電阻發(fā)生變化，通過檢測反饋信號的變化，從而檢測到失效位置；SIFT掃描不受物鏡視野限制，可以一次掃描完整整個檢測區(qū)域，無需圖像拼接，避免圖像扭曲；FAI的恒定電流附加反饋回路的技術，不但提高了檢測靈敏度，而且避免了檢測時電壓過高的風險；恒定焦距的定鏡掃描，可以將激光點停留在任意位置，用于確認失效點。

FMI熒光熱成像技術：FAI的微熱分析技術，熱分辨率是千分K(1/1000K)，可以室溫操作，無需使用危險的液晶溶液。

LC液晶熱成像技術：FAI的SLC（穩(wěn)定液晶）液晶熱成像技術的熱分辨率為百分K (1/100 K)。

Moire云紋成像：從硅片背面采用“云紋圖像成像”的方式來檢測失效位置的微熱變化。

以上信息由企業(yè)自行提供，信息內(nèi)容的真實性、準確性和合法性由相關企業(yè)負責，儀器儀表交易網(wǎng)對此不承擔任何保證責任。
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