ICP等離子刻蝕機(jī)

價(jià)格
電議

型號(hào)
WINETCH

品牌
PLUTOVAC

所在地
上海市 浦東新區(qū)

更新時(shí)間
2024-03-05 15:39:36

瀏覽次數(shù)

    WINETCH是面向科研及企業(yè)研發(fā)客戶(hù)使用需求設(shè)計(jì)的高ICP等離子體系統(tǒng)。作為一個(gè)多功能系統(tǒng),它通過(guò)優(yōu)化的系統(tǒng)設(shè)計(jì)與靈活的配置方案,獲得高性能ICP刻蝕工藝。該設(shè)備結(jié)構(gòu)緊湊占地面積小,*的機(jī)械設(shè)計(jì)與優(yōu)化的自動(dòng)化操作軟件使該設(shè)備操作簡(jiǎn)便、安全,且工藝穩(wěn)定重復(fù)性很好。

    產(chǎn)品特點(diǎn):

    4/6/8英寸兼容,單片晶圓真空傳輸系統(tǒng)

     低成本高可靠,適合研發(fā)及小規(guī)模生產(chǎn)

    設(shè)備結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,外形小

    操作簡(jiǎn)便、便于自動(dòng)控制、適合大面積基片刻蝕

    優(yōu)異的刻蝕均勻性,刻蝕速率快

    滿(mǎn)足半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)的配方驅(qū)動(dòng)及管理軟件控制系統(tǒng)

    選擇比高、各向異性高、刻蝕損傷小

    斷面輪廓可控性高,刻蝕表面平整光滑


    技術(shù)參數(shù):

    晶圓尺寸:4/6/8英寸兼容

    適用工藝:等離子體刻蝕

    適用材料:SiC、Si、GaN、GaAs、InP、Ploy,etc.

    適用領(lǐng)域:化合物半導(dǎo)體,MEMS、功率器件、科研等領(lǐng)域

    ICP等離子刻蝕機(jī)

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