二極管IGBT和MOSFET的靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀西安易恩電氣

價(jià)格
¥188.00

型號(hào)
EN-nvf

品牌
西安易恩電氣

所在地
西安市

更新時(shí)間
2023-12-15 19:35:02

瀏覽次數(shù)


    規(guī)格環(huán)境

    尺寸:250×570×280(mm)

    質(zhì)量:15kg

    環(huán)境溫度:15~40℃

    工作電壓;AC220V±10%(無嚴(yán)重諧波)

    電網(wǎng)頻率:50Hz

    通信接口;USB RS232

    功能單元

    參數(shù)指標(biāo)

    基本參數(shù)

    功率源:3000V/200A

    柵極-發(fā)射極漏電流

    IGES: 0.1-10uA±2%±0.01uA

    IGES

    集電極電壓VCE: 0V

    柵極電壓 Vge: 5-40V±3%±0.1V

     

     

    集電極電壓VCES: 200-3000V±2%±10V

    集電極-發(fā)射極電壓

    集電極電流ICES: 0.1-1mA±3%±0.01mA

     

    柵極電壓 Vge: 0V

    集電極-發(fā)射極飽和

    VCESat:0.1-5V±2%±0.01V

    電壓VCESat

    柵極電壓Vge: ±15V±2%±0.2V

    集電極電流ICE: 10-100A±2%±1A

     

    集電極-發(fā)射極截止

    集電極電壓VCE: 200-3000V±3%

    集電極電流ICES: 0.1-1mA±3%±0.01mA

    電流ICES

    柵極電壓VGE: 0V

     

    柵極-發(fā)射極閾值電

    VGEth: 1-10V±2%±0.1V

    Vce=15V

     

    二極管壓降測(cè)試

    VF: 0.1-5V±2%±0.01V

    IF:5-100A±2%±1A

     

     

    Vge: 0V

    反向擊穿BVR

    BVR200-3000V±2%±10V

    反向漏電流IR

    IR0.1-10mA±3%±0.01mA

     

    導(dǎo)通電阻RDSon

    1-10mΩ±2%±0.1 mΩ

    10-50mΩ±2%±0.5 mΩ

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