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主要特性與技術(shù)指標(biāo)
測(cè)量具有高壓偏置的晶體管輸入、輸出和反向轉(zhuǎn)移電容(Ciss、Coss、Crss、Cies、Coes、Cres)
測(cè)量獨(dú)立端接電容(Cgs、Cgd、Cds、Cge、Cgc、Cce)
測(cè)量常開(kāi)型器件的電容,例如 SiC JFET 或 GaN FET
測(cè)量?jī)?nèi)置柵極電阻(Rg)
當(dāng)柵極電壓從負(fù)電壓切換為正電壓時(shí),可以連續(xù)測(cè)量電容
輕松切換泄漏測(cè)試和電容測(cè)量
工作電壓偏置高達(dá) +/-3 kV
簡(jiǎn)單易用、全自動(dòng)測(cè)量
B1507A 能夠識(shí)別在實(shí)際電路工作電壓偏置條件下的不合格器件(偏置高達(dá) 3 kV),提供電容測(cè)量功能和泄漏測(cè)試功能,是彌補(bǔ)傳統(tǒng) IV 測(cè)試設(shè)備(例如曲線追蹤儀)性能不足的*解決方案。
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